Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника
| dc.contributor.author | Ковальов, Леонід Євгенійович | |
| dc.contributor.author | Kovalyov, L. E. | |
| dc.date.accessioned | 2016-01-28T15:33:53Z | |
| dc.date.available | 2016-01-28T15:33:53Z | |
| dc.date.issued | 1990 | |
| dc.description.abstract | Согласно способу осуществляют предварительное возбуждение полупроводника облучением светом с различными длинами волн из области фоточувствительности и последующее облучение полупроводника излучением с длинами волн, не равными длине волны предварительного облучения. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1597039 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4604171/31-25; Заявл. 9.11.88; Опубл. 1.06.90. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/2046 | |
| dc.language.iso | ru_RU | uk_UA |
| dc.publisher | ВНИИПИ | uk_UA |
| dc.subject | полупроводник | uk_UA |
| dc.subject | фотоемкость | uk_UA |
| dc.subject | локальный уровень | uk_UA |
| dc.subject | релаксационная зависимость | uk_UA |
| dc.subject | фотопроводимость | uk_UA |
| dc.subject | спектральная зависимость | uk_UA |
| dc.title | Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника | uk_UA |
| dc.type | Нормативний документ | uk_UA |