Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку

dc.contributor.authorКовальов, Леонід Євгенійович
dc.contributor.authorKovalyov, L. E.
dc.date.accessioned2015-12-14T17:03:11Z
dc.date.available2015-12-14T17:03:11Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractИсследование диэлектрических характеристик кристаллов высокоомного ZnSe в диапазоне частот 0.01 Гц - 1 МГц и температур 130 - 450 К позволило сделать вывод, что исходные кристаллы характеризуются неоднородным распределением фоновых примесей и собственных дефектов, что приводит к возникновению областей с различной электропроводностью.uk_UA
dc.identifier.citationКовальов Л.Є., Краснобокий Ю.М. Дослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинку // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції „Структурна релаксація у твердих тілах”. – Вінниця. – 2003. – С. 146-148.uk_UA
dc.identifier.isbn966-527-111-3
dc.identifier.urihttp://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/1088
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДОВ "Вінниця"uk_UA
dc.subjectселенид цинкаuk_UA
dc.subjectдиаграмма Коулаuk_UA
dc.subjectдиэлектрическая проницаемостьuk_UA
dc.subjectфоновые примесиuk_UA
dc.titleДослідження діелектричної релаксації у високоомному селеніді цинкуuk_UA
dc.title.alternativeИсследование диэлектрической релаксации в высокоомном селениде цинкаuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
Diel_Vin_2003.pdf
Size:
665.22 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Стаття
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
7.14 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: