Ковальов, Леонід ЄвгенійовичKovalyov, L. E.2016-01-282016-01-281990Ковалев Л. Е. и др. А.с. 1597039 СССР, МКИ5 H 01 L 21/66 Способ определения положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника / (СССР). № 4604171/31-25; Заявл. 9.11.88; Опубл. 1.06.90.http://lib.udau.edu.ua/handle/123456789/2046Согласно способу осуществляют предварительное возбуждение полупроводника облучением светом с различными длинами волн из области фоточувствительности и последующее облучение полупроводника излучением с длинами волн, не равными длине волны предварительного облучения.ru-RUполупроводникфотоемкостьлокальный уровеньрелаксационная зависимостьфотопроводимостьспектральная зависимостьНормативний документ